台積電浸潤式曝光的原理

由 林育詩 著作 · 2008 — 浸潤式微影利用簡單的物理光學原理，包含折射、繞射與鑑別度，可以. 同時改善解析度和焦距深度。使用原有微影系統，搭配浸潤式微影，可以達到更. 短光源波長的效果，對IC ...

2017年6月6日 — 時任台積電研發副總的林本堅博士發明了浸潤式蝕刻，一舉打破了波長的限制。光在液體中跑得慢，波長也短。利用這個原理，把晶圓泡在液體中就在相同的 ...

2006年2月22日 — 浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機台的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質，能夠得到更高解析度的光源，以便製造面積更小 ...

2013年10月13日 — 在同一年，台積電採用浸潤式微影技術的半導體 ... 既然「微影」是透過曝光，把電路的圖形縮小印在晶片 ... 後來呢，根據光學的原理，我們就放點水在那個 ...

2023年3月10日 — 台積電前研發副總經理、中央研究院院士林本堅成功研發「浸潤式微影技術（immersion lithography）」，在保持使用ArF 光源的條件下，改以「水」取代空氣 ...

2014年12月24日 — 傳統上的曝光方法，是讓紫外光穿透光罩，把光罩上的電路圖形印到晶片上。但是波長只有13.5奈米的紫外光，無法「穿透」光罩，能量幾乎都會被吸收，所以要 ...

難能可貴的是，台積電雖然在193奈米浸潤式微影曝光機成功引領新技術，但並未獨占此專利，林本堅表示：「專利最好是能達到合作功效，而非拿來抵制！」 2005年底，在半導體 ...

全球第一大晶圓代工廠台積電的資深處長林本堅（Burn J. Lin），在會中發表有關浸潤式微影技術（immersion lithography）的演說。這項技術源自阿米西的創意，早在1980年代 ...

林本堅提出以水為介質的193奈米浸潤式曝光機，是半導體製程技術可以一直微縮至28奈米、20奈米、16奈米等先進製程的重要關鍵突破，根據IEEE統計，現今半導體產業85%的電晶體 ...

2021年4月17日 — 根據曝光方式不同，可分為接觸式、接近式和投影 ... 曝光機的原理其實像幻燈機一樣簡單，就是把光透過帶 ... 浸潤式技術更有可能以小博大。於是ASML 和 ...